Rof Intensity Modulator dunnefilm lithiumniobaat modulator 40G TFLN modulator

Rof Intensiteitsmodulator dunnefilm lithiumniobaatmodulator 40G TFLN-modulator Uitgelichte afbeelding

Korte beschrijving:

Het dunnefilm-lithiumniobaat-op-isolator (LNOI)-materiaal erft de uitstekende elektro-optische eigenschappen van bulk-lithiumniobaatmaterialen en biedt een nieuwe oplossing voor snelle elektro-optische modulatorchips die geïntegreerd, geminiaturiseerd en zeer efficiënt zijn. We hebben een breedbandige, laag-halfgolfspanning dunnefilm-LiNbO3 elektro-optische modulator ontwikkeld op basis van LNOI-materiaal. Ons product heeft uitstekende eigenschappen zoals hoge stabiliteit, lage insertieverlies en een klein formaat, wat voordelen biedt ten opzichte van traditionele lithiumniobaatmodulatoren op basis van bulkmateriaal. Het product heeft brede toepassingsmogelijkheden in snelle optische communicatie en microgolf-fotonica.

Stuur ons een e-mail. DOWNLOADEN

Productdetails

Rofea Optoelectronics biedt optische en fotonische elektro-optische modulatoren aan.

Productlabels

Functie

Hoge bandbreedte, laag verlies, lage aansturingsspanning, klein formaat, hoge stabiliteit

Veld

Snelle optische communicatie, microgolffotonica, radar, enz.

Rof EOM Intensiteitsmodulator 20G dunnefilm lithiumniobaatmodulator TFLN-modulator

Parameter

Pparameter	Sym	indicator	Eenheid
werkingsgolflengte	λ	1530~1565	nm
Optisch invoegverlies	IL	≤ 5,5 (gemiddeld 4,5)	dB
uitstervingsratio	ER	≥ 25	dB
Optisch retourverlies	RL	≤ -30	dB
Maximaal optisch ingangsvermogen	P_in	≤ 200	mW
Elektro-optische modulatiebandbreedte (3 dB, vanaf 2 GHz)	BW	≥ 40	GHz
RF-halvegolfspanning bij 50 kHz	Vπ	≤ 3,5	V
RF-reflectie	S₁₁	≤ -10	dB
Maximaal RF-ingangsvermogen	S_in	≤ 25	dBm
Thermische voorspanning halfgolfvermogen	Pπ	50	mW
Thermische voorspanningsspanning	U_verwarming	< 8	V
Bedrijfstemperatuur	T_O	-55~85	℃
Opslagtemperatuur	T_S	-55~85	℃

Bestelinformatie

Sym	Dbeschrijving	Optionele parameter
λ	werkingsgolflengte	C (~1550 nm)，O (~1310 nm)
BW	3dB bandbreedte	40 (40 GHz)
PD	Monitoring PD	1 (geïntegreerd), 0 (niet geïntegreerd)
IF	Invoer glasvezel	P (polarisatiebehoudende vezel)
OF	Uitgang glasvezel	P (polarisatiebehoudende vezel), S (standaard single-mode vezel)
S	Halfgolfspanning	S-standaard

Verpakkingsgrootte en pindefinitie

Pin definitie:

Steek	Fzalving
RF	RF-ingang, 1,85 mm binnendraad
A	Thermostatische bias-elektrode (positief en negatief)
B	Thermostatische voorspanningselektrode
C	Reserve thermische aanpassingsvoorspanningselektrode
D	Reserve thermische aanpassingsvoorspanningselektrode

Vorig: Rof 2000nm snelle 2µm elektro-optische fasemodulator

Volgende: ROF Si fotodetector met instelbare versterking, siliciumfotodetector

Rofea Optoelectronics biedt een productlijn van commerciële elektro-optische modulatoren, fasemodulatoren, intensiteitsmodulatoren, fotodetectoren, laserlichtbronnen, DFB-lasers, optische versterkers, EDFA's, SLD-lasers, QPSK-modulatie, pulslasers, lichtdetectoren, gebalanceerde fotodetectoren, laserdrivers, glasvezelversterkers, optische vermogensmeters, breedbandlasers, afstemmbare lasers, optische detectoren, laserdiode-drivers en glasvezelversterkers. We leveren ook diverse specifieke modulatoren op maat, zoals 1*4 array-fasemodulatoren, ultra-lage Vpi-modulatoren en ultra-hoge extinctieverhoudingmodulatoren, die voornamelijk worden gebruikt in universiteiten en instituten.
We hopen dat onze producten u van dienst zullen zijn bij uw onderzoek.

Gerelateerde producten